Электронная структура ромбического GeSe

Abstract

Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов