Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання

Abstract

Розроблені напівпровідникові безкорпусні випромінюючі в інфрачервоному діапазоні спектру 2,5-5,0 мкм епітаксіальні гетероструктури на основ з’єднань А3 В5. В роботі використані тверді розчни In1-xGaxь As/InAs та InAs1-x-ySbxPy/InAs з метою одержання структурно-узгоджених систем з різним рівнем легування. Дослідженні електрофізичні характеристики одержаних гетероструктур з створеними в них p–n переходами, а також фізико-хімічні та оптичні властивості захисних та просвітлюючих діелектрични покрить на основі складни халькогенідних склоподібни напівпровідникових матеріалів. Такі напівпровідникові випромінюючі структури є основою для багатьох сучасних оптоелектронних систем та систем різного спеціального призначення.