1. Mukachevo State University repository
  2. Статті
  3. Статті
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Название: Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals
Авторы: Bletskan, D. I.
Блеткан, Д. І.
Kabatsii, V. N.
Кабацій, Василь Миколайович
Kranjcec, M.
Кранчець, М.
Ключевые слова: cation vacancy
photoelectric property
luminous flux
thermally stimulate current
native point defect
вакансія катіона
фотоелектрична властивість
світловий потік
термічно стимулюючий струм
родний дефект
Дата публикации: 2010
Издательство: Pleiades Publishing
Краткий осмотр (реферат): We have studied the photoconductivity spectrum, thermally stimulated current, current–light characteristics, and temperaturedependent photocurrent in Bridgmangrown orderedvacancy Ga2Se3 crystals. The observed temperature quenching of photoconductivity and two regions of its thermal activation in Ga2Se3 crystals are interpreted in terms of a multicenter recombination model which incorporates an schannel of active recombination, rcenters of photosensitivity, and traps for nonequilibrium majority carriers.
Описание: Bletskan D. I. Photoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals / D. I. Bletskan, V. N. Kabatsii, M. Kranjcec // Inorganic Materials, 2010, Vol. - 46, No. - 12, P.1290–1295
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6838
Располагается в коллекциях:Статті

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Photoelectric_properties_of-ordered-vacancy_Ga2Se3_single_crystals.pdfPhotoelectric properties of ordered-vacancy Ga2Se3 single crystals670.89 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.