Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/396
Назва: Effect of Nonstoichiometry and Doping on the Photoconductivity Spectra of GeSe Layered Crystals
Автори: Bletskan, D.I.
Madyar, J.J.
Kabaciy, V.N.
Кабацій, Василь Миколайович
Ключові слова: Nonstoichiometry
Doping
Photoconductivity Spectra
Layered Crystals
Дата публікації: 2006
Серія/номер: ;Vol.40, No 2
Короткий огляд (реферат): The polarization photoconductivity spectra of Bi-doped nonstoichiometric GeSe layered crystals grown by static sublimation were investigated.
Опис: Bletskan, D. I. Effect of Nonstoichiometry and Doping on the Photoconductivity Spectra of GeSe Layered Crystals / D. I. Bletskan, J. J. Madyar, V. N. Kabaciy // Semiconductors. - 2006. - Vol.40. No 2. - P.142-147
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/396
Розташовується у зібраннях:Статті

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Effect of Nonstoichiometry and Doping on the Photoconductivity Spectra of GeSe Layered Crystals.pdfEffect of Nonstoichiometry and Doping on the Photoconductivity Spectra of GeSe Layered Crystals220.23 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.