Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Titel: Электронная структура ромбического GeSe
Autoren: Кабаций, Василий Николаевич
Блецкан, Д.И.
Глухов, К.Е.
Лукьянчук, А.Р.
Stichwörter: моноселенид германия
электронная структура
плотность электронных состояний
фотоэлектронные спектры
Erscheinungsdatum: 2010
Serie/Report Nr.: Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics;№28
Zusammenfassung: Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретико- групповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов
URI: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/371
Enthalten in den Sammlungen:Статті

Dateien zu dieser Ressource:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
Электронная структура ромбического GeSe.pdfЭлектронная структура ромбического GeSe1.19 MBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repository sind urheberrechtlich geschützt, soweit nicht anderweitig angezeigt.