Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКабацій, Василь Миколайович-
dc.contributor.authorГоловач, Й. Й.-
dc.date.accessioned2018-11-21T08:01:00Z-
dc.date.available2018-11-21T08:01:00Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.urihttp://dspace.msu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/2874-
dc.descriptionКабацій В. М. Безкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання / В. М. Кабацій, Й. Й. Головач // Науковий вісник Мукачівського технологічного інституту. - Мукачево : МТІ, 2006. - №2. - С.53-58en_US
dc.description.abstractРозроблені напівпровідникові безкорпусні випромінюючі в інфрачервоному діапазоні спектру 2,5-5,0 мкм епітаксіальні гетероструктури на основ з’єднань А3 В5. В роботі використані тверді розчни In1-xGaxь As/InAs та InAs1-x-ySbxPy/InAs з метою одержання структурно-узгоджених систем з різним рівнем легування. Дослідженні електрофізичні характеристики одержаних гетероструктур з створеними в них p–n переходами, а також фізико-хімічні та оптичні властивості захисних та просвітлюючих діелектрични покрить на основі складни халькогенідних склоподібни напівпровідникових матеріалів. Такі напівпровідникові випромінюючі структури є основою для багатьох сучасних оптоелектронних систем та систем різного спеціального призначення.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherМТІen_US
dc.subjectінфрачервоні джерела випромінюванняen_US
dc.titleБезкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінюванняen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Статті

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
n2-54-59.pdfБезкорпусні інфрачервоні напівпровідникові джерела випромінювання320.02 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.